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Infineon Technologies FD1000R17IE4DB2BOSA1
| Artikelnummer: | FD1000R17IE4DB2BOSA1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | IGBT MOD 1700V 1390A 6250W |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Infineon Technologies FD1000R17IE4DB2BOSA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FD1000R17IE4DB2BOSA1.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 1700 V VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 1000A Supplier Device-Gehäuse Module Serie PrimePACK™3 Leistung - max 6250 W Verpackung / Gehäuse Module Paket Tray Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C NTC-Thermistor Yes Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Chassis Mount Eingangskapazität (Cíes) @ VCE 81 nF @ 25 V Eingang Standard IGBT-Typ - Strom - Collector Cutoff (Max) 5 mA Strom - Kollektor (Ic) (max) 1390 A Konfiguration Single Grundproduktnummer FD1000 FD1000R17IE4DB2BOSA1 Einzelheiten PDF [English] FD1000R17IE4DB2BOSA1 PDF - EN.pdf -
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